Révolution IA : une mémoire vive nouvelle génération 2 500 fois moins énergivore

L'intelligence artificielle est souvent pointée du doigt pour sa consommation électrique excessive. Cependant, un nouveau type de mémoire vive pourrait contribuer à baisser significativement cette facture.

L’IA moins gloutonne en énergie grâce à la CRAM

Dans un monde où l’intelligence artificielle (IA) est omniprésente, de l’art à l’informatique, la question de sa consommation énergétique se fait de plus en plus pressante. En réponse à ce défi, des chercheurs de l’université du Minnesota ont conçu une solution innovante : la CRAM (Computational Random Access Memory).

De la RAM à la CRAM : une révolution mémorielle

La RAM (Random Access Memory) est généralement utilisée pour stocker temporairement des informations, permettant ainsi à un processeur d’exécuter un programme. Toutefois, la CRAM va bien au-delà de cette fonction. En effet, cette nouvelle technologie « ne va pas stocker des informations, mais procéder à des calculs », selon Live Science. Ceci permet d’éviter le transfert de données énergivore entre la mémoire et le processeur.

Main dans la main avec l’IA : le rôle des MTJ

L’atout majeur de ces dispositifs de mémoire réside dans leurs « jonctions tunnel magnétiques » (MTJ). Cette technologie utilise le spin des électrons pour stocker des données, ce qui se traduit par une consommation énergétique réduite, une plus grande vitesse et une résistance accrue dans le temps.

Les projections énergétiques des IA : division par 2 500

L’IA est gourmande en énergie, sa consommation mondiale devrait même doubler entre 2022 et 2026, selon l’Agence internationale de l’énergie. Cependant, la CRAM pourrait permettre des économies d’énergie considérables. En effet, l’étude publiée dans npj Unconventional Computing révèle que ce type de mémoire nécessite 2 500 fois moins d’énergie que la mémoire traditionnelle.

Après plus de 20 ans de recherches et le soutien de l’Agence américaine Darpa, la technologie CRAM est enfin prête à faire son entrée sur le marché. « Grâce à un groupe d’étudiants en constante évolution depuis 2003 et à une véritable équipe interdisciplinaire constituée à l’université du Minnesota, nous avons maintenant démontré que ce type de technologie est réalisable et prêt à être incorporé dans la technologie, » a déclaré Jian-Ping Wang, auteur principal de l’étude. Il ne reste plus qu’à convaincre les fabricants de semi-conducteurs à se lancer dans l’aventure CRAM.