Toshiba, Intel et Micron se lancent dans la mémoire NAND 3D

Intel, Toshiba et Micron ont annoncé développer les mémoires flash NAND 3D, d'une capacité bien supérieure aux NAND actuelles.

Cette nouvelle technologie de mémoire flash, appelée NAND 3D ou verticale, va permettre de stocker une plus grande quantité de mémoire dans un espace plus réduit. Une telle technologie va pouvoir être utilisée dans des dispositifs portables qui bénéficieront alors de meilleures performances.

La mémoire flash prend une nouvelle dimension

Actuellement, les mémoires flash sont conçues de façon plane, en disposant des cellules les unes à côté des autres. La nouvelle technologie NAND 3D permet d’empiler verticalement les modules de mémoire. Cette technique permet de cumuler plus de mémoire dans un espace plus restreint. Ainsi, il va être possible de créer des disques SSD de plus grande capacité et de doter les smartphones et tablettes d’une plus grande quantité de mémoire flash, qui est aujourd’hui limitée à 128Go. D’autre part, les performances de ces dispositifs vont être accrues car la disposition verticale des modules de mémoires permet un flux d’informations entre eux plus rapide.

NAND 3D : plus de performance et coûts moindres

Le vice-président responsable des technologies et solutions de mémoire au sein de Micron Technology, Brian Shirley, s’est exprimé sur le sujet : « La collaboration d’Intel et de Micron a permis de créer une technologie de stockage SSD qui offre une performance et une efficacité sans équivalent sur le marché actuel ». Il ajoute ensuite : « Cette technologie NAND 3D a le potentiel nécessaire pour changer véritablement la donne sur le marché. L’impact majeur des mémoires flash dans des domaines comme les smartphones ou l’informatique de haute performance ne constitue qu’un début. »

Intel et Micron devraient commencer à produire ces nouvelles NAND au dernier trimestre 2015. Les premiers produits embarquant cette technologie devraient donc être commercialisés dans le courant de l’année 2016.